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LED外延片成長工藝的解決方案

LED外延片成長工藝的解決方案

今天,我們將討論LED外延片的發展過程。在小型集成電路的早期,每個6英寸外延晶片上製造了數千個芯片。如今,8微米線寬的大尺寸超大規模集成電路(VLSI)也被用於每個8?外延片。只能完成一到兩百個大芯片。雖然外延片的製造已投入數百億,但它是所有電子行業的基礎。 TR 對於硅晶柱的生長,首先需要將相對高純度的硅礦石放入爐中並添加預定的金屬物質,以使生成的硅晶柱具有所需的電性能,然後需要所有的物質。熔化後,它將長成單晶硅柱。以下將介紹所有列增長過程:
晶體生長主程序:
1.熔化(MELtDown)
該方法是將放置在石英坩堝中的塊狀多晶硅加熱到1420攝氏度的熔化溫度以上。這個階段最重要的參數是坩堝的位置和熱量的供應。熔化多晶硅的功率大,石英坩堝的壽命將減少,如果功率太低,熔化過程需要太長時間,影響整體生產能力。 TR 2.頸部增長
在硅熔體的溫度穩定後,將該方向的晶種逐漸注入液體中,然後將晶種拉出,直徑減小到一定值(約6mm),直徑爲保持並且長度爲10-20釐米,消除晶種內的位錯。這種無位錯控制主要是爲了限制頸部生長的位移。 TR 3,皇冠成長(Crown Growth)
頸部完成後,慢慢降低速度和溫度,逐漸將頸部直徑增大到所需的大小。 TR 4.晶體生長(身體生長)
通過調節拉速和溫度變化來保持固定的鑄錠直徑,因此坩堝必須連續升高以保持固定的液位,因此從坩堝傳遞到鑄錠和液體表面的輻射熱將逐漸增加。該輻射熱源將使固體界面的溫度梯度逐漸降低,因此必須逐漸降低鑄錠生長階段的拉速,以避免鑄錠的變形。 TR5.尾巴增長
當晶體生長到固定(所需)長度時,晶錠的直徑必須逐漸減小,直到它與液體表面分離,以避免由於熱應力引起的位移和滑動表面的差異。 TR 切割:
在晶棒生長之後,可以將其切割成片,即外延晶片。芯片即晶片是半導體元件“芯片或芯片”的襯底。拉伸和拉伸的高純度硅晶體柱(Crystal Ingot)是圓形片,稱爲外延晶片(外延片)。 。 TR 外延:
砷?根據工藝,外延可分爲LPE(液相外延),MOCVD(有機金屬氣相外延)和MBE(分子束外延)。 LPE技術相對較低,主要用於一般發光二極管,而MBE具有較高的技術水平,易於生長極薄的外延,純度高,平整度好,但生產能力低,外延生長速度慢。除了高純度和良好的平整度之外,MOCVD具有比MBE更高的大規模生產能力和外延生長速率,因此它們中的大多數現在通過MOCVD生產。 TR 該過程開始於將GaAs襯底放置在昂貴的有機化學氣相沉積爐(MOCVD,也稱爲外延爐)中,然後是III族和II族金屬元素的烷基化合物(甲基或乙基化物)蒸氣。對於非金屬(V或VI元素)氫化物(或烷基)氣體,在高溫下發生熱解反應以形成沉積在基板上的III-V或II-VI化合物,並生長層。化合物半導體外延層,其厚度僅爲幾微米(1mm=1000μm)。具有外延層的GaAs晶片也稱爲外延晶片。在芯片處理外延晶片之後,它可以發出非常純的單色光,例如紅色或黃色。不同的材料,不同的生長條件和不同的外延層結構可以改變光的顏色和亮度。實際上,在幾微米厚的外延層中,真正的發光僅爲幾百納米(1微米=1000nm)厚的量子阱結構。 TR反應式:Ga(CH3)3 PH3=GaP3CH4